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2006年度
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2005年度
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2004年度
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2006年度
シリコンウェーハ研磨に於ける研磨パッド表面加工の影響
シリコンウェーハ研磨への研磨パッド表面粗さおよび形状の影響
次世代タングステンスラリーの開発
The analysis of Electrochemical Behavior for Cu Removal Rate
Study of pad surface treatment to control polishing performance
シリコンウェーハ研磨パッドの表面性状と動的特性
2005年度
パッド表面分析による研磨メカニズムの検討(第5報)
研磨パッドの応力/変位とウェーハロールオフ
シリコンウェーハ研磨工程におけるスラリー砥粒の影響
Friction Force Monitoring System in CMP
研磨布に対する超平滑化加工とウエハー平坦度への影響
不織布研磨パッドによるシリコンウェーハ・プロファイルの制御
Resolution of Pad Surface Roughness on Cu CMP
2004年度
研磨パッド表面粗さによる研磨性能の制御
各種研磨パッドの研磨特性によるCMP性能の研究
新規腐食防止剤を用いた研磨剤によるCu-CMPへの影響
研磨布-被研磨物間摩擦力測定によるシリコンウェーハファイナル研磨特性の検討
Pad Surface Roughness and Cu CMP Performance
An Approach to Slurry Characterization for CMP
