TECHNOLOGY 技術情報

先端デバイス向け研磨パッド

ニッタ・ハース株式会社 CMP事業部 製品技術グループ パッドチーム ◯松村 進一

1980年代の後半にIBMがデバイスの平坦化に研磨を用いることを開始し、その後1990年代前半から中盤に日本でもCMPが広まった。当時はアルミ配線の層間絶縁膜の平坦化が主であったが、その後上下の配線間を接続するタングステンプラグや、素子間分離のための浅溝分離(STI)、Cu配線形成のためのダマシン工程など応用範囲を広げていき、それに合わせて専用のスラリーなども開発された。研磨パッドとしてはIC1000™ とSUBA™ の積層パッドが標準的に用いられるようになり、現在に至るまでデファクトスタンダードとして使用されている。あらゆる工程において適用範囲の広い研磨パッドであったが、近年各工程の性能要求が厳しくなってきており、研磨性能も十分満足出来なくなってきた。樹脂組成やポア構造を見直しチューニングしたパッドの開発も進めている。このように、現状では研磨対象材料やその目的により、研磨スラリーと研磨パッドは様々な組み合わせが用いられているが、この二つの消耗材料が研磨性能を左右する大きな要素である。ここでは、この2大要素の一つである研磨パッドについて、要求される性能とそれに影響を与えるパッド物性やDow社/ ニッタ・ハース社で取り組んできた要素技術について紹介を行う。今回のテーマでもある先端デバイス向けにはどのような研磨パッドが必要になってくるか、その要求性能と方向性について述べていきたい。

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