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2017.10.24技術情報を2件更新しました

  シリカスラリーの安定性がディフェクト性能に与える影響
     http://www.nittahaas.com/technical/661/

 技術革新が進む半導体デバイスでは微細化による高機能化が進み、CMP工程においてもお客様が要求される性能レベルはますます高くなっています。その中でも、特にディフェクトと呼ばれる欠陥に関しての性能向上が強く求められています。本研究では、CMPスラリーに含有されるシリカ砥粒表面の改質によって砥粒の動的安定性を向上し、ディフェクト性能の改善が可能であることを示しました。

 なお、本研究結果は2017年9月に開催されました2017年度精密工学会秋季大会学術講演会にて発表させて頂きました。

 

●  タンタル酸リチウム(LiTaO3)基板でのCMPスラリーのpHと砥粒径の効果
     http://www.nittahaas.com/technical/674/

スマートフォンの高機能化にともない、SAWデバイスなど電子部品の需要が高まっています。本研究では、SAWデバイスの支持基板となるタンタル酸リチウム(LiTaO3)基板のCMPにおいて、CMPスラリーのpHと砥粒径が研磨性能に対していかに寄与するかの考察を述べました。ぜひご覧ください。

 


ニッタ・ハース㈱はCMP研磨材料のリーディングカンパニーとして、お客様における”最適表面創出”を目指し、今後も技術開発を続けてまいります。

● 製品紹介(半導体デバイス用)         http://www.nittahaas.com/products/semiconductor-device/
● 製品紹介(化合物ウェーハ用)         http://www.nittahaas.com/products/compound-wafer/

 

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